Mentre Apple si concentra sui nuovi aggiornamenti iOS, Samsung è indaffarato nello sviluppo di una nuova, interessante, tecnologia.
Così uguali, tanto diversi Apple e Samsung. Il colosso di Cupertino si sta concentrando a rispettare la tabella di marcia degli update di iOS (in primis le versioni per sviluppatori, quindi per i beta tester), per arrivare in orario all’appuntamento del 5 giugno, quando ci sarà l’attesissimo WWDC, l’Apple Worldwide Developers Conference che ogni anno regala gioie immense agli appassionati dei device griffati dalla Mela più famosa al mondo. 
Samsung, invece, è in altre faccende affaccendato, ha investito molto nella tecnologia di produzione dei semiconduttori per fornire ai clienti una valida alternativa a TSMC e al suo portafoglio che spaziano dalle applicazioni mobili alle applicazioni di calcolo ad alte prestazioni.
In tal senso va inquadrato lo sviluppo di una nuova tecnologia tendente al miglioramento delle performance dei chip ad alte prestazioni, nel segno di rinnovazione e ottimizzazione. Questo è molto altro è il SF4X, precedentemente noto come nodo 4HPC, le cui prime anticipazioni erano state rivelate durante il VLSI Symposium di questo 2023. Ora ci sarebbe dell’altro.
I vantaggi evidenziati
Progettato e sviluppato per le applicazioni HPC ad alte prestazioni, come CPU e GPU per data center, in contrasto con lo standard SF4 che utilizza transistor da 4 nm progettati per standard a bassa potenza applicabili ai dispositivi mobili /spazio portatile, SF4X si concentra maggiormente su una tecnologia piattaforma FinFET a 4 nm, altamente affidabile e producibile er l’applicazione HPC con celle standard Dual-CPP/HP-HD. 
Nel documento presentato, Samsung ha dimostrato il successo dell’applicazione HPC a 4 nm, più aggiornata. Tante le peculiarità evidenziate. In primis un aumento significativo delle prestazioni, del 10%, riduzione (-23%) della potenza tramite ingegneria avanzata dello stress SD, transistor livello DTCO e schema MOL. Non solo.
In arrivo due opzioni HPC: un dispositivo Ultra-Low-Vt, SRAM ad alta velocità e garanzia di funzionamento ad alta Vdd con uno schema MOL di nuova concezione. Il miglioramento che sembrerebbe apportare SF4X è stato dimostrato da un prodotto che porta la riduzione Vmin della CPU -60mV / riduzione della variazione IDDQ -10% insieme a un margine di processo SRAM migliorato.
Per garantire un funzionamento a Vdd elevato, la tensione di rottura del contatto-porta è migliorata di> 1 V senza degrado delle prestazioni. Insomma, una tecnologia SF4X che fa al caso di Samsung, portando enormi vantaggi in termini di prestazioni per varie applicazioni in un’ampia gamma di operazioni. Come per Apple se ne saprà di più a giugno, il 15, quando è in programma la Technology Session 16 del Symposium made in Samsung.
