Un gruppo di ricercatori britannici ha sviluppato l’ultraram, definita dagli stessi la memoria universale del futuro: tutti i dettagli 
Un’equipe di ricercatori della Lancaster University, Regno Unito, guidati dal fisico Manus Hayne, ha sviluppato l’ultraram. Questa è stata presentata come la generazione di memoria del futuro, la quale unisce i vantaggi delle DRAM con le caratteristiche proprie delle flash. Non si tratta di memorie volatili, infatti non permetteranno di conservare i dati. Una scelta adottata in favore delle prestazioni.
Tornando per un attimo alle DRAM, sappiamo che son veloci ma non permettono di memorizzare i dati una volta ‘spente’. Le memorie flash, invece, vengono utilizzate proprio per conservare i dati in maniera permanente ed essere sono le varie schede SD, chiavette USB, eccetera. Queste ultime, rispetto alle prime, sono più lente.
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Ultraram ed il concetto di memoria ‘universale’
Come spiegato dai ricercatori, con le ultraram si vuole introdurre il concetto di memoria ‘universale’ ed unire le migliori caratteristiche delle DRAM e delle flash. Il gruppo di esperti, per farlo, si è avvalso dei principi della meccanica quantistica e del resonant tunnelling. Quest’ultimo consente alle particelle di superare la barriera di potenziale grazie a delle tensioni ridotte pari a circa 2,5 V.
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I primi modelli di ultraram realizzati si sono dimostrati 2000 volte più veloci dei vari prototipi, mentre la durabilità è fino a 10 volte maggiore delle memorie flash. Nel dettaglio, si tratta di array ultraram da 4 bit, i quali serviranno da base per i chip futuri. Al momento, però, si è in attesa della registrazione del brevetto.
